宽禁带功率半导体技术论坛举行

□记者晁明春报道

本报济南讯12月7日,以“产融合作助力发展”为主题的“2018中国宽禁带功率半导体技术论坛及产业发展峰会”在济南举行。本次大会由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟与国投创新投资管理有限公司联合主办,包括“技术交流”“产业论坛”“产融对接”等三大板块。

据介绍,碳化硅、氮化镓等宽禁带功率半导体是继硅半导体后新近发展起来的新的一代半导体材料,它具有工作温度高、高电压、高频率、大电流等卓越的性能优势,在照明领域可以实现节能90%；在电力电子领域可以实现节能30%以上,系统体积缩减三分之二的效果；在微波通讯领域它实现了大功率长距离的输送,是5G必须的基础材料,是培育战略性新兴产业的重要支撑。

来自国家部委及省市主管部门领导和国内外科研机构的30多位顶级专家及中车集团、国家电网等宽禁带半导体技术和产业领域内的160家企业,国家开发投资公司、国家开发银行、国家集成电路大基金等40余家知名金融机构的300多位嘉宾,共同研讨宽禁带功率半导体产业发展和产业链建设,开展产业与金融对接。

中国科学院院士郝跃、中国工程院院士汤广福、美国纽约州立大学石溪分校教授MichaelDudley等国内外专家和产业界人士分别就宽禁带半导体的技术和应用进行了12项专题技术报告,展示了宽禁带半导体的最新技术进展和广阔发展前景。国投创新基金管理公司董事、总经理李刚,山东天岳公司首席运营官AngTY和中科院微电子所所长叶甜春等业内产、学、研、金等方面的代表,围绕我国宽禁带半导体领域深化产融合作,推动产业发展进行了深入探讨。会上还举行了《宽禁带功率半导体发展路线图》的发布仪式。

据悉,中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟于2013年12月在济南成立,理事长单位为山东天岳先进材料科技有限公司,作为世界上第一个宽禁带半导体产业联盟,在我国宽禁带功率半导体技术及产业重大政策研究支持和产业发展推动等方面发挥了重要作用。

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