长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

本报讯记者昨天获悉，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目在2019世界制造业大会上宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军，国家重大专项01专项专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志着我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

DRAM即动态随机存取存储器，是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年，中国芯片进口额超过3000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。（下转2版）

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