国产存储芯片获重大突破 长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

本报讯（记者 桂运安）9月20日，2019世界制造业大会在合肥开幕，长鑫存储技术有限公司在大会上宣布：总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目正式投产，其与国际主流动态随机存取存储芯片（DRAM）同步的10纳米级第一代8Gb DDR4在大会上首度亮相，一期设计产能达每月12万片晶圆，首批芯片今年底将会送到客户手中。“预计三期满产后，产能可以达到每月36万片。”长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官朱一明透露。

长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目，2016年由合肥市产业投资（控股）集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资，是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目，以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标。目前，该项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

芯片被誉为“现代工业粮食”。其中，存储器芯片是中国芯片市场中的最大品类，也是最能体现集成电路规模经济效应和先进制造工艺的产品，市场需求达到全球的三成，进口额接近300亿美元。DRAM作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

在世界制造业大会现场，记者看到长鑫存储正式投产的内存芯片仅有指甲盖大小。中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

朱一明透露，长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品，另一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。“长鑫存储填补了国内DRAM的空白，有望突破韩国、美国企业在国际市场的垄断地位。”合肥市半导体行业协会常务副理事长陶鸿说。

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